摘要
通过低氟金属有机物沉积方法(MOD)在哈氏合金基底上制备了一系列Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0,0.23,0.5,0.77,1)超导薄膜.X光衍射(XRD)分析表明:Gd3+掺杂使YBa2Cu3O7-δ超导薄膜外延生长易于形成,X光极图显示,随掺杂量增加,其面内取向半高宽随名义掺杂量的增加呈非线性变化.与纯YBCO相比,掺杂薄膜具有更好的表面形貌。Gd3+掺杂的样品的超导性能均优于纯YBCO的性能.在77K、自场下适当掺杂量有助于超导薄膜临界电流密度的提高,这可能由于掺杂形成的调制结构可以作为磁通钉扎中心.
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