基于薄外延的ESD结构设计

作者：李晓蓉; 吴建东; 高国平

来源：电子与封装, 2022, 22(08): 78-82.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0815

• 静电放电保护
• 薄外延片
• 电源钳位

采用薄外延圆片能有效提升抗辐射芯片的抗单粒子闩锁能力，但实测发现栅极接地MOS(GGMOS)结构在薄外延圆片下静电放电（ESD）性能衰减明显。对其衰减机理进行分析，设计了电源钳位ESD结构，对其进行了完整的ESD性能仿真，分析并优化了芯片ESD保护网络，实测结果表明ESD性能满足4kV设计需求。