无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性

作者：冯银红; 沈桂英; 赵有文; 刘京明; 杨俊; 谢辉; 何建军; 王国伟

来源：人工晶体学报, 2022, 51(06): 1003-1011.

DOI：10.3969/j.issn.1000-985X.2022.06.007

• GaSb
• 衬底
• 液封直拉法
• 晶格完整性
• 位错腐蚀坑密度
• 倒易空间图
• 亚表面损伤
• 化合物半导体

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm-2,达到无位错水平.本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层.利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能.在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析.

• 单位
  中国科学院; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学