高压并联电抗器匝间保护防饱和误动方法研究

作者：戴飞扬^*; 周泽昕; 李勇; 杜丁香; 郭雅蓉; 柳焕章

来源：电网技术, 2021, 45(05): 1993-2000.

DOI：10.13335/j.1000-3673.pst.2020.0065a

• 高压并联电抗器
• 串补电容
• 谐波分量
• 计算电感
• 防误动

高压并联电抗器(high voltage shunt reactor,HVSR)易于在端电压突增的情况下饱和,电气特征上高抗饱和与匝间短路之间较为模糊,传统的基于零序电气量的匝间保护存在误动风险。提出一种新型高抗饱和防误动方法,针对高抗饱和误动问题,构建了基于谐波分量及直流分量的闭锁判据,防止匝间保护在高抗饱和时误动作;同时,为避免所提出的闭锁判据导致匝间保护灵敏度下降,利用高抗在故障及饱和条件下的阻抗特性差异,构建了基于绕组计算电感波动的开放判据,实现了对高抗饱和匝间短路的准确识别,且在高抗匝间短路故障与饱和同时发生时也能可靠开放保护动作。RTDS仿真结果验证了该方法的有效性。

• 单位
  华中电网有限公司; 中国电力科学研究院有限公司