氧化锌作为一种优异的半导体材料，在材料研究领域受到广泛关注。采用简单的湿化学法合成氧化锌材料，通过X射线衍射图观测到合成的氧化锌样品纯度高且没有第二相，在NaBH4的作用下，氧化锌的形貌以及内部结构发生了改变。带隙能量值从3.28eV降低到3.07eV,并通过拉曼光谱，X射线光电子能谱进一步验证，与纯氧化锌相比，经处理后的氧化锌，氧空位有所增加，揭示了NaBH4对氧化锌缺陷结构的影响。
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