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摘要
本文主要通过研究玻璃在混合集成电路金属外壳的润湿性能,探讨封接工艺参数对产品质量的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱分析(EDS)对封接区域的微观组织形貌进行表征,分析玻璃产生气泡的因素以及封接界面的元素分布,确定混合集成电路金属外壳的最佳封接工艺参数。结果表明,混合集成电路金属外壳-玻璃封接的最佳温度为960℃,封接保温时间为30min,高温区的氮气流量为45L/min。采用本工艺制备的混合集成电路金属外壳的泄漏率≤1.0×10-9Pa·m3/s、绝缘电阻≥5.0×109?(DC:500V)、耐电压≥5000V,封接拉力≥389N。封接处玻璃体致密,玻璃与金属壳体中的元素相互迁移,在封接界面处形成金属键、离子共价键共存的混合区域,封接效果显著提升。
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