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摘要
二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军，大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题。文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO3)的方法实现大面积二硫化钼(MoS2)薄膜材料的制备。区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性，文章设计利用提前在衬底上预生长MoO3作为Mo源，以固定MoS2薄膜的成核位点。研究结果表明，该方法可实现双层的大面积MoS2薄膜。进一步，将制备的双层大面积MoS2薄膜转移到叉指电极上进行光电性能研究，在532 nm的激光照射下，实现103.71 mA/W的响应度及88μs的快响应速度。预计文章的实验设计可推广到其他大面积二维薄膜材料的制备中。
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单位物理学院; 长春理工大学
