退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响

作者：谌青青; 高扬; 杨涛; 杨成韬; 文忠; 张彩虹; 孟祥钦

来源：压电与声光, 2012, (02): 262-264.

• ZnO薄膜
• 退火温度
• X线衍射仪(XRD)
• 原子力显微镜(AFM) ZnO thin film
• annealing temperature
• XRD
• AFM

采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密。随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室