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摘要
本发明公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片,四个发光单元并联,正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离,负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体,光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外,整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本发明的制备方法,采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案,无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料,较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案,有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本发明的工艺流程简单、可靠。
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