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摘要
GaN基功率放大器的线性度是其应用于无线基站通讯系统的一个重要指标。获得较宽电压范围的高跨导区域是提高器件的线性度的基本要求。本文采用能带剪裁工程成功地制备了具有4V以上高跨导区电压摆幅的AlGaN缓冲层复合势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,为高线性度AlGaN/GaN HEMT器件的实现奠定了基础。 本文首先通过自洽求解一维薛定谔/泊松方程,对复合势垒结构的能带图、载流子分布特性以及电子波函数进行了模拟仿真。模拟结果表明AlGaN缓冲层可以有效地抑制沟道电子向缓冲层的注入,显著地降低载流子在副阱中的分布,将激发态的波函数完全限制在两个沟道阱的耦合区中,可以有效地提高沟道耦合作用...
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