Ni-Al-V合金L1_2相间有序畴界面的微观相场模拟

作者：张明义; 王永欣; 陈铮; 张静; 赵彦; 甄辉辉

来源：金属学报, 2007, (10): 1101-1106.

• Ni-Al-V合金
• L1_2(Ni_3Al)相
• 有序畴界
• 成分偏聚
• 界面迁移
• 微观相场 Ni-Al-V alloy
• L1_2(Ni_3Al)phase
• ordered domain interface
• composition segregation
• interface migration
• microscopic phase-field

利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L1_2(Ni_3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L1_2相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L1_2相的(100)和另一个L1_2相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原...

• 单位
  材料学院; 西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室