一种新型的SiC/GaN Mosfet隔离驱动集成电路的设计与实现

作者：王少杰; 彭建伟; 王涛

来源：邵阳学院学报(自然科学版), 2023, 20(02): 45-51.

• SiC MOSFET
• 脉冲
• 变压器驱动

为解决隔离变压器驱动存在副边SiC/GaN MOSFET导通期间电压不稳定和负压关断尖峰的问题，提出了一种磁隔离的SiC/GaN MOSFET脉冲式驱动集成电路。该集成电路为脉冲式驱动。当隔离变压器的原边绕组接收到一个正电压脉冲，经过SiC/GaN MOSFET的结电容保持，从而产生一个平台，维持SiC/GaN MOSFET的开通；当隔离变压器的原边绕组接收到一个负电压脉冲，结电容进行放电，使得SiC/GaN MOSFET关断。该方案可以解决现有的副边SiC/GaN MOSFET导通保持电压不稳定和负压关断尖峰的问题，实现隔离变压器副边SiC/GaN MOSFET导通保持电压稳定和钳位关断负压保持稳定。实验和仿真结果表明该新型集成电路的正确性和可靠性。

• 单位
  邵阳学院