一种基于求和型CMOS基准电流源的RC振荡器

作者:唐俊龙; 罗磊; 肖仕勋; 韦钰; 曹韬; 邹望辉
来源:电子世界, 2019, (03): 11-13.
DOI:10.19353/j.cnki.dzsj.2019.03.003

摘要

<正>基于HHNEC 0.35μm 5V CMOS工艺,提出一种自偏置共源共栅电流镜结构的改进新颖求和型CMOS基准电流源,产生一个低温漂基准电流作为充放电电流,设计了一款应用于温度传感器芯片的高精度RC振荡器,采用共质心结构和虚拟管匹配技术完成RC振荡器版图。仿真结果表明,在温度范围为-40℃~80℃,电源电压范围为4.5V~5.5V时,基准电流仅变化了3.62nA,温漂系数是11.09ppm/℃。RC振荡器输出中心频率为4.717MHz,占空比为

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