阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺

作者：田婷; 任芳; 梁萌; 王江华; 刘志强^*; 伊晓燕; 袁国栋; 王军喜; 李晋闽

来源：照明工程学报, 2019, 30(03): 81-95.

DOI：10.3969/j.issn.1004-440X.2019.03.014

• LED
• 芯片隔离
• ICP深刻蚀
• 激光划槽

阵列式高压交/直流发光二极管(LED)在芯片制作过程中通过多个LED微晶粒的串并联来实现交流高压供电,属于高电压小电流的工作状态,与传统LED相比在电流扩展、封装及驱动电路设计等诸多方面有更大的优势。本文主要研究了阵列式高压交直流LED器件制备过程中的芯片隔离工艺,并对感应耦合等离子体(ICP)深刻蚀隔离以及激光划槽两种芯片隔离方法进行了对比。通过扫描电子显微镜(SEM)表征刻蚀形貌以及最终器件的伏安特性和光输出功率表明ICP深刻蚀隔离具有更高的灵活性且可以形成陡直的隔离侧壁,且可以实现较深的刻蚀深度,更有助于制备光电性能优良的阵列式高压交/直流LED器件。

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 鹤壁市大华实业有限公司