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摘要
对于3 300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件，因其衬底电阻率非常高，在场限环、场板、场限环+场板、结终端扩展(Junction Termination Extension, JTE)、横向变掺杂(Variation of Lateral Doping, VLD)、场限环+多级场板等众多提升耐压的方案中，场限环+多级场板是最切实可靠的方案。基于现有的3 300 V场截止型(FS)IGBT平面工艺制造平台，采用场限环+多级场板结终端结构，TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真发现场板厚度的增加，其击穿电压也随之增大。将此TCAD仿真设计方案通过不同场板厚度分组试验进行流片验证，击穿电压大于3 300 V。但随着场板厚度增加，其翘曲度也跟着相应增加，为此进行了正反面膜质淀积后回流工艺优化，翘曲度显著减少，与场板厚度弱相关，满足了设计要求，实测值与仿真值相吻合。
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单位苏州大学文正学院; 电子信息工程学院
