近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响

作者：朱耀明; 李永富; 唐恒敬; 汪洋; 李淘; 李雪; 龚海梅

来源：激光与红外, 2010, (02): 169-173.

• 近红外InGaAs探测器
• 台面结构
• 器件性能 near infrared InGaAs photodiodes
• mesa structure
• characteristics

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系。探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院