化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析

作者：王雪峰; 叶小球; 冯春蓉; 谌晓洪; 杨蕊竹; 饶咏初; 李强; 宋久鹏; 吴吉良^*

来源：材料热处理学报, 2019, 40(11): 91-95.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2019-0372

• 化学气相沉积钨(CVD-W)
• 氘滞留
• 等离子体辐照
• 热脱附谱(TDS)

利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×1025 D/m2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在1019 D/m2量级;氘的脱附温度区间为400～800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV。

• 单位
  西华大学