LiF添加对YAG陶瓷微波介电性能的影响

作者：胡杰; 吕学鹏^*; 许泉辉; 李帅; 汪家瑜

来源：电子元件与材料, 2019, 38(06): 38-49.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.06.006

• YAG陶瓷
• 烧结温度
• LiF添加量
• 微波介电性能

采用常规固相烧结法制备了YAG陶瓷,并研究了烧结温度和LiF添加量对YAG陶瓷微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,LiF的添加不仅可以有效降低YAG陶瓷的烧结温度,而且显著提高其微波介电性能。当LiF添加量为质量分数5%时,YAG陶瓷经1500℃烧结6 h后的相对密度为97.5%,显微组织较均匀、致密,具有优异的微波介电性能:εr=11.3,Q·f=67130 GHz,τf=-53.4×10-6 ℃-1。当LiF添加量过多时,YAG陶瓷的气孔率增加,Q·f值显著下降。

• 单位
  南京工程学院