CMP加工后芯片三维形貌表征参数体系

作者：黄静飞; 任志英^*; 罗德海; 路纯红

来源：摩擦学学报, 2020, 40(06): 716-725.

DOI：10.16078/j.tribology.2019255

• 化学机械抛光
• 三维表面形貌
• 表征参数
• ISO 25178-2
• 分形维数

针对当前化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)后的芯片表面形貌的表征常常只停留在研究二维轮廓特征,无法完整地表达整个三维表面形貌信息,仅使用单一的评定指标来表征其表面的不平整程度等问题,建立了1个科学、全面的芯片表面形貌评定参数体系应用于工程表面粗糙度评定中,通过分析芯片表面形貌的幅值分布特征,结合芯片表面的统计特性,基于ISO 25178-2标准表征参数建立适用于芯片表面三维评定的表征参数体系.仿真结果表明:CMP加工后芯片表面形貌的幅值近似服从高斯分布;分形维数D可以准确表征芯片表面形貌,反映其复杂程度;通过幅度参数、空间参数、混合参数和分形参数建立的芯片表面形貌评定体系能够从多方面表征芯片三维表面形貌特征,对芯片表面形貌参数评定具有一定的可行性.

• 单位
  河北工业职业技术学院; 自动化学院; 福州大学