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摘要
本发明涉及一种化合物MISFET器件热空穴效应的测试结构,包括：衬底(1)、N型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一P+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、N+掺杂区(9)、第二P+掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热空穴注入数量与能量可控技术的化合物MISFET器件热空穴效应的测试结构及其表征方法,通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热空穴的注入数量,并通过调整电压Va来控制绝缘层中热空穴的注入能量,解决了器件热空穴注入数量和注入能量的不可控,以及非均匀注入绝缘层等问题,有助于对异质结器件中的热空穴效应进行深入分析。
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