科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种基于反应#扩散理论的预测NBTI长时恢复的解析方法,包括：步骤一：获取p#MOSFET器件的器件参数；步骤二：基于基础反应#扩散理论,得出描述NBTI长时恢复的一般解析模型；步骤三：基于界面陷阱的快速恢复和H2的锁定效应,修正一般解析模型；步骤四：基于DH2是随时间变化的物理量,引入参数ξ随时间变化的表达式进行修正,得到完整的用于描述NBTI长时恢复的解析模型；步骤五：根据解析模型,预测p#MOSFET器件的NBTI长时恢复。本发明提出的解析模型纳入了H2的扩散系数随恢复时间衰减和锁定效应这两个因素,并且通过与R#D模型数值解比较验证了本发明的有效性。
- 单位
