陶瓷封装外引线弯曲疲劳强度的几何结晶学研究

作者:陈宇宁; 唐利锋*; 陈寰贝; 庞学满; 李华新; **
来源:固体电子学研究与进展, 2018, 38(05): 378-387.
DOI:10.19623/j.cnki.rpsse.2018.05.003

摘要

采用铁镍合金材料制备了小截面积引线陶瓷封装外壳,通过分析陶瓷外引线弯曲疲劳强度的几何结晶学状态,得到弯曲疲劳次数随着引线截面积增大而增加。弯曲角度是影响引线弯曲疲劳强度的重要因素之一,当弯曲角度从0°~90°增加到-45°~+85°,疲劳强度约降低一半。结晶温度显著影响引线内部晶粒形成与长大的状态,随结晶温度升高,引线弯曲疲劳强度呈现先增加后降低的变化趋势。

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