集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性

作者：刘进; 陈永光; 谭志良; 陈京平

来源：高电压技术, 2011, (07): 1740-1745.

• 集成电路
• 静电放电(ESD)脉冲
• 方波脉冲
• 损伤效应
• 曲线拟合
• 相关性 integrated circuit
• electrostatic discharge(ESD) pulse
• rectangular pulse
• damage effects
• curve fitting
• correlation

为了分析复杂波形脉冲注入对集成电路的损伤特点,找出不同波形参数的脉冲注入损伤效应相关性,用方波脉冲和不同模型的静电放电(ESD)对5种具有典型代表意义的集成电路器件进行注入损伤效应实验,并给出了器件的损伤电压、损伤功率、损伤能量等值。采用曲线拟合的分析法,基于实验数据建立起脉冲特性参数与器件损伤参数间的数学关系,其函数拟合精度很高,可为进一步研究器件的电磁损伤机理提供指导。实验结果表明:能量型损伤为集成电路器件损伤的一种主要形式,其损伤机理是由于在PN结上的能量积累使得温度升高而最终热烧毁。各器件的能量损伤阈值与其平均值相比,平均变化区间度处于10%～20%之间,故能量可作为这种损伤模式的主要判定参数。静电放电的损伤阈值普遍略小于方波脉冲的损伤阈值,但不同脉冲注入下器件的损伤规律类似,只有量的不同而没有质的不同。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学