功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述

作者：罗萍; 吴昱操; 范佳航; 张致远; 冯皆凯; 赵忠

来源：微电子学, 2023, 53(06): 957-964.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230434

• 总剂量辐射加固
• 环栅MOS器件
• 环栅功率MOS
• 等效W/L建模
• 环栅器件建库

总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状，归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣，推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时，阐述了现有环栅MOS器件等效W/L的建模情况，提出保角变换是环栅MOS器件等效W/L精确建模的重要方法，最后还给出了环栅器件建库的基本流程。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室