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摘要
相较于一般材料，SiC在硬度、临界击穿电场、热导率方面具有诸多优势，已经成为第三代半导体的重要材料。SiC板用于芯片制程设备时，不同厚度、不同温度下的热变形难以计算且试验测量困难，提出利用正交试验方法对SiC板的热变形开展仿真研究。回顾了热传导理论，推导出SiC板热变形的解析计算方法；设计了SiC板正交试验方案，总结了仿真热变形的流程；利用ANSYS-Workbench软件对正交试验方案进行了热力学仿真分析，并与解析方程式结果进行对比分析，结果表明SiC板在不同厚度、不同温度下热变形满足线性关系。
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单位中国电子科技集团公司第二研究所
