不同温度下聚酰亚胺陷阱分布规律研究

作者：蒙志成; 孙永卫; 原青云; 王松; 周立栋

来源：量子电子学报, 2018, 35(02): 230-235.

• 材料
• 陷阱分布
• 表面充电
• 聚酰亚胺
• 温度

在真空和不同温度条件下,通过电子枪辐照的方式对聚酰亚胺材料进行表面充电,测量其表面电位随时间的衰减特性。得到了聚酰亚胺材料电导率随温度的变化规律,并结合等温表面电位衰减理论计算了其在不同温度下的陷阱分布规律。随着温度的升高,聚酰亚胺的浅陷阱数量逐渐增多,深陷阱数量逐渐减少。浅陷阱的变化规律与聚酰亚胺电导率成正比,即浅陷阱越多,载流子的迁移作用越强.研究结果可为聚酰亚胺材料抗老化和防沿面闪络的改性设计提供有利参考。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学