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摘要
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小，器件结构会要求更高的纵横比，常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部，不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构，直接影响沟槽内的污染物去除效果；常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显；而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和粘附、结构损伤、废气处理等一系列问题。超临界清洗和刻蚀技术是最具有前景的环境友好、无损伤技术，能够耦合蚀刻、清洗与干燥工艺为一体，且可以循环使用，安全环保，是晶圆制造过程中常规清洗和刻蚀的首选替代技术。本文综述了超临界二氧化碳中晶圆清洗与选择性刻蚀的研究进展，重点介绍了超临界二氧化碳共溶剂、微乳液体系在光刻胶剥离以及含硅基底选择性蚀刻中的应用，最后展望了超临界二氧化碳晶圆清洗和刻蚀存在的问题和发展趋势。
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单位化学工程联合国家重点实验室; 华东理工大学
