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摘要
设计了一种可用于中红外波段探测的花瓣结构光学天线，利用有限时域差分方法，分析了结构参数、入射光偏振方向对单层天线共振波长及尖端电场强度的影响。在优化单层结构基础上，计算了双层天线层间距（h）介于0.1-0.8μm时，不同入射波长下上层天线尖端电场强度与入射光电场强度比值。为研究下层天线对于上层天线电场的增强机理，固定入射光波长，扩大天线层间距h （0.1-3.6μm），对有无上层天线两种结构，分析相同探测点电场强度比随h变化。结果表明，h＜1μm，上层天线尖端电场增强主要来自于双层天线耦合增强，其中h＜0.2μm，上层天线尖端场强随着距离h的减小而降低，主要因为近场耦合导致上层天线尖端能量转移到层间；h＞1μm，上层天线尖端电场增强主要来自于下层天线反射光的干涉增强。
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