ONO反熔丝器件可编程特性研究

作者：潘福跃; 张明新^*; 曹利超; 刘佰清; 洪根深; 张海良; 刘国柱

来源：电子与封装, 2021, 21(07): 81-86.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0715

• ONO
• 反熔丝
• 击穿电压
• 导通电阻

ONO (Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6μm CMOS工艺,分别采用"AF+MOS"和"MOS+AF"集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性。研究结果表明,采用"AF+MOS"集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性。

• 单位
  东南大学; 中国电子科技集团公司第五十八研究所