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摘要
随着晶片等电子元件集成化、小型化和精细化快速发展,半导体行业对加工过程中电子元件表面附着重金属和油类等污染物的清洗技术要求也越来越高。传统的化学清洗法已逐渐被禁用,超声等物理清洗法处理效果较差且已不能满足当前需求。羟基自由基具有强氧化性目前已被广泛应用于高浓度、高稳定结构的有机物清洗,但由于现有单一的电Fenton法、电解氧化法、光电催化法和半导体催化法产生自由基密度较低,氧化能力有限,极大地限制了其应用范围。采用化学发光法将所有生成的氧化剂浓度转化为臭氧浓度后进行对比分析,进行半定性半定量测定,并系统性研究了臭氧、紫外光照射、低兆赫超声和二氧化钛纳米管光催化技术多项联用下,对羟基自由基生成浓度的影响。
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