科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种基于阵列肖特基漏的功率开关器件,主要解决现有器件开启电压高及阻断能力有限的问题,其包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层,钝化层左侧为源极槽和源极；势垒层和钝化层的右侧为M组阵列条,每组阵列条包括N个左阵列块和(N+1)个右阵列块,其中左、右阵列块为交错分布,这些阵列块的底部位于过渡层内；这些阵列块的上侧为互连金属；源极与最左侧阵列条之间的钝化层内为凹槽,其内部自下而上为P型块、i-GaN块、栅极；源极、栅极与M组阵列条及互连金属构成HEMT结构,M组阵列条与其接触的势垒层和钝化层形成二极管结构,HEMT与二极管构成双向耐压器件。本发明开启电压低,阻断特性好,可用于电力电子系统。
- 单位
