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摘要
磷化铟与砷化镓同为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，广泛应用于光通信、微波毫米波通信等领域。由于垂直温度梯度凝固(VGF)技术中，晶体受到的温度梯度小，能生长出低位错，甚至零位错的单晶，而被广泛应用于磷化铟单晶的制备中。影响磷化铟单晶生长的因素很多，其中最重要的是热场环境，而冷却循环水能够起到调节热场梯度的作用，有较大的研究意义。通过控制单晶炉循环水进水温度及进水流量，探究了进水温度22～34℃与进水流量60～300 L/h的不同组合条件下，InP单晶生长的不同结果，并对不同进水温度和水流量对单晶生长的影响规律进行了分析。结果表明，循环水的温度和流量对热场温度梯度有影响，在进水温度30℃,流量100 L/h时，磷化铟的单晶率有所提升，位错密度在50/cm2以下。
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单位云南鑫耀半导体材料有限公司; 云南大学
