科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
以硅树脂RSN-6018为陶瓷前驱体聚合物、偶氮二甲酰胺为发泡剂、聚甲基丙烯酸甲酯为造孔剂、氯化钴为金属离子催化剂，分别采用前驱体自发泡、发泡剂法以及添加造孔剂法，在Ar气氛中于1400℃高温裂解转化制备分级多孔的硅氧碳（SiOC）多孔陶瓷。同时引入金属离子催化剂促进SiOC多孔陶瓷中原位生长碳化硅（SiC）纳米线。研究了不同成孔工艺得到的SiOC多孔陶瓷的孔结构与性能，探讨了催化剂对SiC纳米线的原位生长以及SiOC多孔陶瓷力学性能的影响规律。研究表明，不同成孔工艺制备的SiOC多孔陶瓷的孔结构具有明显差异，进而对性能影响较大；氯化钴的添加促进了SiC纳米线的原位生长，提高了SiOC多孔陶瓷的力学性能；以聚甲基丙烯酸甲酯微球（PMMA）为造孔剂、氯化钴为催化剂制备的SiOC多孔陶瓷的显气孔率为46.3%，耐压强度最高达29.6 MPa，与未添加催化剂的样品相比提升了31.5%。
- 单位
