一种宽通带低插损的吸透一体频率选择表面

作者：段坤^*; 唐守柱

来源：现代雷达, 2020, 42(04): 72-76.

DOI：10.16592/j.cnki.1004-7859.2020.04.015

• 低插入损耗
• 宽通带
• 大角度
• 双极化
• 低吸高透
• 等效电路法
• 感应电流分布

提出了一种低端吸收、高端透过型频率选择表面,该结构具有宽通带,低插入损耗,且在大角度和双极化条件下性能具有相对稳定的优点。该结构由无耗带通层和损耗层组成,无耗带通层和损耗层的基本单元分别是耶路撒冷型缝隙单元和十字开缝单元。损耗层是由集总电阻加载于相邻十字开缝单元间实现损耗吸收。进一步,基于等效电路法和全波仿真得出感应电流分布,对结构实现的功能和物理机理进行分析。在法向入射的情况下,1 dB通带带宽约为22.16%,最低插入损耗0.087 dB,10 dB吸收相对带宽约为80%,最大吸收率是93.1%。

• 单位
  南京电子技术研究所