本发明公开了一种基于侧面填充的深紫外LED封装结构及其制备方法。本发明的目的,在于通过在芯片侧面填充掺杂有AlN粒子的硅胶(AlN particles doped Silicone layer Filed in Chip-side,ASFCS)的封装方法,特别说明,ASFCS封装,是芯片侧面填充掺杂AlN粒子的硅胶的封装方法,后面将用ASFCS封装代替所提到的侧面填充封装方法。ASFCS封装可提高芯片侧面的出光率,进而提高深紫外封装的出光率。
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