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摘要
通过设计合理的实验方案，对1 064 nm连续激光辐照硅基APD探测器后电学性能的变化规律进行了实验研究，在实验中，对硅基APD探测器被激光辐照前后的暗电流和响应度进行了监测。研究发现：随着激光功率密度的增加，硅基APD探测器的实际响应度逐渐减小，但硅基APD探测器的测量响应度逐渐变大，并且和暗电流增大的趋势十分相近，因此，可认为随着激光功率密度的增加，在测试输出电流中暗电流作用逐渐大于光电流作用，即硅基APD探测器的暗电流升高是造成其测量响应度增大的主要原因，并且对此现象给出了合理解释。
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单位物理学院; 长春理工大学
