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摘要
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压。仿真结果表明,对于栅漏间距为6μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到显著提升(从1 118V增至1 670V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87mΩ·cm2增至0.88mΩ·cm2)。研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaN HEMT设计提供了一种新思路。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
