采用基于密度泛函的第一性原理计算方法,构建了Si80笼状分子的模型,并对其结构和电学特性进行了考察.研究发现,经过结构优化计算,Si80分子从Ih高对称性下降为Th,但仍然保持较好的笼状结构.对Si80笼状分子的稳定性、轨道分布和电荷分布等性质进行了分析和讨论.