平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

作者：陈博贤; 刘光诒; 夏善红; 丁耀根; 李宏彦; 杨久霞; 吕永积

来源：真空电子技术, 2006, (01): 33-36.

DOI：10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2006.01.010

• 平面平行真空微电子二极管
• 二分之三次方关系式
• 空间电荷 Plana parallel vacuum microelectronics diode
• Three halves power relationship
• Space charge

在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工作状态(归一化电位系数p=2/3)情况下,考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50.00%,73.21%和22.47%。P-VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数,在阳极表面附近为最小,在阴极表面处...

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院电子学研究所; 广播科学研究院