ZnO∶V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

作者：张丽亭; 魏凌; 张杨; 张伟风

来源：发光学报, 2007, (04): 561-565.

• ZnO
• 钒掺杂
• 光致发光
• 溶胶-凝胶法
• 薄膜 ZnO
• V-doping
• photoluminescence
• sol-gel
• thin films

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO∶V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO∶V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO∶V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂...

• 单位
  河南大学