高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池

作者：崔敏; 张维佳; 钟立志; 吴小文; 王天民; 李国华

来源：电子元件与材料, 2006, (04): 47-49.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2006.04.017

• 无机非金属材料
• 纳米硅
• 电导率
• PECVD
• 薄膜
• 太阳能电池 inorganic non-metallic materials
• nc-Si:H
• conductivity
• thin films
• solar cell

通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。

• 单位
  北京航空航天大学; 中国科学院半导体研究所; 半导体超晶格国家重点实验室