TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究

作者：陈运金^*; 欧忠星; 冯玉春; 林忱; 刘耀; 张千; 陈曦; 周贺; 刘文瑞

来源：液晶与显示, 2022, 37(03): 342-350.

• TFT阵列
• 过孔电阻
• 耐流性能

薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁，引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确，制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明：氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出，过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(RITO)及过孔接触电阻(Rcontact)组成，ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使RITO减小，ITO膜与金属接触面积增大会使Rcontact减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下，ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。