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摘要
一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法,采用真空镀膜后热扩散工艺,具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗,然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干,然后迅速置于真空镀膜机,并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉,在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子,完成器件的制作。
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一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法,采用真空镀膜后热扩散工艺,具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗,然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干,然后迅速置于真空镀膜机,并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉,在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子,完成器件的制作。
