本发明提出了一种硅基宽禁带材料及其制作方法,以解决第一代半导体材料禁带宽度窄、应用范围较小的问题。本发明在硅晶胞的基础上掺杂碳原子进行新材料的设计,保证新材料与硅结构的一致性,控制掺杂浓度以调节禁带宽度,其中,大小为1*5*1的Si0.7C0.3超晶胞结构的禁带宽度最大。本发明可适用于传统硅工艺及装置,基于此新材料所制造的功率器件具有耐高温耐高压的优点。
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