VDMOS电离辐射效应快速评估方法

作者：崔帅; 王义元; 李彩; 卢健; 陈斌

来源：核技术, 2020, 43(05): 51-55.

• 高压VDMOS
• 电离辐射效应
• 评估方法
• 高温辐照

高压垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused MOSFET,VDMOS)是空间广泛应用的半导体器件,由于空间环境存在电离辐射,需要开展其抗辐射能力的评估。通常采用国军标规定的常温辐照至考核剂量,再追加50%辐照剂量和168 h的高温退火评估方法,实验周期较长。为缩短实验周期,开展了VDMOS电离辐射效应快速评估方法研究,通过国军标实验方法与高温100℃辐照结果对比发现,在较大的剂量范围内,高温辐照可以缩短测试评估时间,并较好地评估高压VDMOS器件的抗辐射能力。通过典型数字电路在高温100℃下辐照与国军标方法对比,证明了高温辐照方法具有国军标方法的等效性,且可以节省168 h的退火时间,极大的缩短了评估周期。本方法可用于高压VDMOS器件的抗电离辐射能力的快速评估。

• 单位
  上海宇航系统工程研究所; 中国科学院