科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
为实现航天器减重增效的目的，FinFET工艺制造的半导体器件因制程小、功耗低和性能佳等优势，成为宇航级集成电路内部功能单元的有力竞争者。空间辐射环境诱发的半导体器件总剂量和单粒子效应是限制航天器在轨寿命的关键因素，FinFET器件的抗辐射性能与工艺参数密切相关，文中从不同工艺参数下FinFET器件的辐射性能退化着手，比较了掺杂浓度、鳍尺寸和材料种类对总剂量和单粒子效应的影响，详细分析了FinFET器件的辐射损伤行为和性能演化规律，为FinFET器件的抗辐射加固提供了科学依据。
-
单位中国电子科技集团公司第五十八研究所
