一种高压驱动器的抗辐射加固设计

作者：蒋红利; 江月艳; 孙志欣; 邵卓; 钟涛; 高欣宇

来源：电子与封装, 2023, 23(08): 60-66.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0111

• 高压驱动器
• 电源调制
• PMOS
• 抗辐射加固
• 高压BCD工艺

随着星载雷达技术的发展，发射及接收(T/R)组件系统中的发射功率越来越高。高压调制驱动器配套功率开关PMOS管，作为T/R组件中大功率GaN功放的电源调制驱动，大大提高了T/R组件的集成度及可靠性。介绍了一款T/R组件系统中32 V的高压调制驱动器，基于高压BCD工艺进行设计、流片，设计上通过选取合适的高压器件及器件工作电压，优化逻辑结构、版图器件隔离及布线等技术进行抗辐射加固。经过验证，产品达到了100 krad (Si)总剂量指标及75 MeV·cm2/mg的单粒子指标。