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摘要
本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片,包括生长在玻璃衬底上的铝金属层,生长在铝金属层上的银金属层,生长在银金属层上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜,生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN多量子阱,生长在InGaN/GaN多量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的LED外延片的制备方法。本发明的生长在玻璃衬底上的LED外延片具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能优良的优点。
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