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摘要
以高纯α相氮化硅为原料,Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结制备氮化硅陶瓷。研究烧结温度对陶瓷导热性能和力学性能的影响,以及经过后续常压热处理的性能变化。结果表明,放电等离子烧结(1600～1700℃)可制备致密度大于99%的氮化硅陶瓷,其中,在1700℃烧结制备的氮化硅陶瓷具有较好的综合性能。经过1750℃常压热处理后,晶粒尺寸进一步增大,液相由非晶态转化为结晶态,所有样品的第二相组成均为Y5Si3O12N。陶瓷抗弯强度由551提高至775 MPa,热导率由43.6提高至61.1 W/(m·K)。
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