气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)

作者：郝国强; 张永刚; 顾溢; 李爱珍; 朱诚

来源：红外与毫米波学报, 2006, (04): 241-245.

• 光电子学
• 光电探测器
• 暗电流分析
• 温度特性
• 零偏压下微分电阻与面积乘积 optoelectronics
• photodetectors
• dark current analysis
• temperature behavior
• R_0A

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所